MEMS三轴加速度传感器

FH413A05: 型号

生产厂家: 厂商性质

西安: 产地

产品参考价：1000
公司名称：西安方恒电子科技有限公司
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产品简介

FH413A05 MEMS三轴加速度传感器由我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有 BIMOS 信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等

产品描述

FH413A05 MEMS三轴加速度传感器说明书

一、简介

FH413A05 MEMS三轴加速度传感器由我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有 BIMOS 信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有低功耗、高可靠性和高封装坚固性，并具自检测（Self-Test）等功能，可实现自检测。

本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。

二、原理

FH413A05三轴加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面 MEMS 多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。

三、技术条件

性能	FH413A性能
	Ax ，Ay ，Az
测量范围（ g）	±2	±4	±5	± 10	±20	±40
灵敏度（mV/g）	1000±50	500±50	400±30	200±20	100±10	50±5
带宽（10%，Hz）	0～500
零 g 偏置电压（V）	2.5±0.05
满量程输出（V）	0.5-4.5
零偏温度变化（mg/ °C）	±0.2~ ±0.8
交叉轴影响（%）	≤2
非线性度(％F.S)	≤0.1
噪声密度（ug/ √Hz）	20~80
供电要求
供电电压(VDC)	12±0.5
输入电流（mA）	≤20
工作环境

使用温度（。C）	-45～+85
抗冲击（ g）	5000
重量、体积
重量(g)	≤20
体积（mm? )	21.6×21.6×12.4

四、接线端子定义

引线号	1	2	3	4	5	6
颜色	红	黑	蓝	黄	白	屏蔽
定义	12v	GND	Ax	Ay	Az	壳体地